意法半導體發布GaN參考設計,面向家電與工業驅動電機控制應用
2026年4月2日,中國—意法半導體 EVSTDRVG611MC氮化鎵(GaN)電機控制參考設計主打家電和工業驅動設備,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達600W以上,確保終端設備結構緊湊,同時降低物料成本。

該參考設計是一個交鑰匙開發板,即插即用,上電后即可開始評測,板載意法半導體 STDRIVEG611GaN 柵極驅動芯片、分立式 GaN 功率晶體管和混合信號微控制器 STM32G431。開發板是一塊兩層印刷電路板,尺寸為 108mm×110mm,性價比高,物料清單、原理圖及 Gerber 文件均可在st.com官網直接下載。
意法半導體的GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和驅動芯片正在顛覆功率轉換技術市場,能夠讓充電器、電源適配器和服務器電源的能效和功率密度達到傳統硅解決方案無法企及的水平。EVSTDRVG611MC參考設計中的 STDRIVEG611 柵極驅動器專為硬開關電路優化設計,助力 GaN 技術在電機控制領域普及應用,搭配 650V、75mΩ 規格的 GaN 晶體管,可幫助家電設計人員實現行業領先的能效等級、體積更小的電控模塊和更高的系統可靠性。
EVSTDRVG611MC板使用直流電源,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達 600W 以上,在加裝散熱器后,最大功率有進一步提升空間,靈活可變的功率范圍使其適配洗衣機等家電和工業伺服驅動裝置,以及其他無刷直流 (BLDC)電機應用場景。STDRIVEG611柵極驅動器采用 5mm×4mm QFN小封裝,STM32微控制器STM32G431集成三路運放,支持三路分流電阻采樣,為客戶提供一個有市場競爭力的物料清單。Arm? Cortex?-M4內核可以實時運行復雜控制算法,以滿足電機高轉速控制需求。
工程師可借助 ST Motor Control Workbench 工具快速評估 EVSTDRVG611MC 開發板,開始應用開發。該工具包含電機特性分析、性能監測等功能,支持自動生成固件,大幅縮短產品上市周期。用戶可以在無感電機控制方案中采用FOC磁場定向控制(矢量控制算法),也可以在有感電機控制架構中采用FOC,以平穩精準地控制電機運轉,支持霍爾傳感器、增量式 / 絕對值編碼器等多種反饋方案。
現在EVSTDRVG611MC可以通過意法半導體代理商或官網訂購。更多詳情請訪問www.st.com/evstdrvg611mc
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